Ваш кошик порожній

X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET

Частина №:
CFY67-08
Виробник:
Асортимент продукції:
Transistабоs (BJT)

Інформація про Продукт

Terminal FinishGOLD
Terminal FабоmFLAT
Power Dissipation Ambient-Max0.2000 W
Package ShapeROUND
StatusACTIVE
Package Body MaterialCERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Transistабо Element MaterialGALLIUM ARSENIDE
Power Gain-Min (Gp)11.5 dB
Drain Current-Max (ID)0.0600 A
ConfigurationSINGLE
Transistабо TypeRF SMALL SIGNAL
Channel TypeN-CHANNEL
FET TechnologyHIGH ELECTRON MOBILITY
DS Breakdown Voltage-Min3.5 V
Surface MountYes
Mfr Package DescriptionMICRO-X-4
Operating ModeDEPLETION
Number of Terminals4
Highest Frequency BandX BAND
Terminal PositionRADIAL
Number of Elements1
Package StyleDISK BUTTON


Телефонуйте про наявність

Ціна за:  КоженМінімум:  1

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання