Ваш кошик порожній

0.3 A, 800 V, 21.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-92

Частина №:
TSM1N80SCTB0
Виробник:
Асортимент продукції:
Transistабоs (BJT)

Інформація про Продукт

StatusDISCONTINUED
Channel TypeN-CHANNEL
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Mfr Package DescriptionROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Pulsed Drain Current-Max (IDM)1 A
Terminal FабоmTHROUGH-HOLE
Operating ModeENHANCEMENT
Package StyleCYLINDRICAL
Avalanche Energy Rating (Eas)90 mJ
Transistабо ApplicationSWITCHING
Drain Current-Max (ID)0.3000 A
Transistабо Element MaterialSILICON
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Terminal PositionBOTTOM
Transistабо TypeGENERAL PURPOSE POWER
Package ShapeROUND
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max21.6 ohm
Number of Terminals3
DS Breakdown Voltage-Min800 V
Number of Elements1


Телефонуйте про наявність

Ціна за:  КоженМінімум:  1

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання