Ваш кошик порожній

0.3 A, 800 V, 21.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

Частина №:
TSM1N80CWRP
Виробник:
Асортимент продукції:
Transistабоs (BJT)

Інформація про Продукт

Terminal FабоmGULL WING
Avalanche Energy Rating (Eas)90 mJ
Package ShapeRECTANGULAR
StatusACTIVE
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Transistабо Element MaterialSILICON
Drain Current-Max (ID)0.3000 A
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max21.6 ohm
Transistабо TypeGENERAL PURPOSE POWER
Pulsed Drain Current-Max (IDM)1 A
Channel TypeN-CHANNEL
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
DS Breakdown Voltage-Min800 V
Transistабо ApplicationSWITCHING
Surface MountYes
Mfr Package DescriptionROHS COMPLIANT PACKAGE-4
Operating ModeENHANCEMENT
Number of Terminals4
Terminal PositionDUAL
Number of Elements1
Package StyleSMALL OUTLINE


Телефонуйте про наявність

Ціна за:  КоженМінімум:  1

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання