Ваш кошик порожній

10 A, 500 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

Частина №:
2SK2190-4000
Виробник:
Асортимент продукції:
Transistабоs (BJT)

Інформація про Продукт

StatusDISCONTINUED
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Channel TypeN-CHANNEL
Terminal FабоmTHROUGH-HOLE
Operating ModeENHANCEMENT
Number of Terminals3
Transistабо Element MaterialSILICON
Drain Current-Max (ID)10 A
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Terminal PositionSINGLE
Transistабо TypeGENERAL PURPOSE POWER
Package ShapeRECTANGULAR
ConfigurationSINGLE
Drain-source On Resistance-Max1 ohm
Package StyleFLANGE MOUNT
DS Breakdown Voltage-Min500 V
Number of Elements1


Телефонуйте про наявність

Ціна за:  КоженМінімум:  1

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання