Ваш кошик порожній

X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET

Частина №:
FPD750-000SQ
Виробник:
RFMD
Асортимент продукції:
Transistабоs (BJT)
FPD750-000SQ

Інформація про Продукт

Terminal FinishNOT SPECIFIED
Terminal FабоmNO LEAD
Package ShapeRECTANGULAR
StatusDISCONTINUED
Lead FreeYes
Package Body MaterialUNSPECIFIED
Transistабо Element MaterialGALLIUM ARSENIDE
EU RoHS CompliantYes
ConfigurationSINGLE
Transistабо TypeRF POWER
Channel TypeN-CHANNEL
FET TechnologyHIGH ELECTRON MOBILITY
DS Breakdown Voltage-Min10 V
Transistабо ApplicationAMPLIFIER
Surface MountYes
Mfr Package DescriptionROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Operating ModeDEPLETION
Number of Terminals3
Highest Frequency BandX BAND
Terminal PositionUPPER
Number of Elements1
Package StyleUNCASED CHIP


Телефонуйте про наявність
Ціна за:  КоженМінімум:  1

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання