Ваш кошик порожній

600 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

Частина №:
AP1322GEU
Виробник:
Асортимент продукції:
Transistабоs (BJT)

Інформація про Продукт

StatusACTIVE
Channel TypeN-CHANNEL
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Mfr Package DescriptionROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Terminal FабоmGULL WING
Operating ModeENHANCEMENT
Package StyleSMALL OUTLINE
Drain Current-Max (ID)0.6000 A
Transistабо ApplicationSWITCHING
Number of Elements1
Transistабо Element MaterialSILICON
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Terminal PositionDUAL
Transistабо TypeGENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL
Package ShapeRECTANGULAR
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max0.6000 ohm
Number of Terminals3
DS Breakdown Voltage-Min20 V
Surface MountYes


Телефонуйте про наявність

Ціна за:  КоженМінімум:  1

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання