Ваш кошик порожній

TRANS SJT 1.2KV 10A

Частина №:
GA10JT12-263
Виробник:
Асортимент продукції:
Transistабоs - FETs

Інформація про Продукт

CategабоyDiscrete Semiconductабо Products
FET FeatureSuper Junction
Online CatalogSilicon Carbide (SiC) Super Junction FETs
Product PhotosTO263-3
FamilyFETs - Single
Vgs(th) (Max) @ Id-
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1403pF @ 800V
Series-
Standard Package50
Supplier Device Package-
DatasheetsGA10JT12-263
Rds On (Max) @ Id, Vgs120 mOhm @ 10A
FET TypeSilicon Carbide, Nабоmally Off
PackagingTube
Power - Max170W
Package / Case-
Mounting TypeSurface Mount
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 C25A (Tc)
Other Names1242-1186 GA10JT12-220ISO GA10JT12220ISO
Gate Charge (Qg) @ Vgs-


Телефонуйте про наявність

Ціна за:  КоженМінімум:  1

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання