Ваша корзина пуста

0.3 A, 800 V, 21.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

Часть №:
TSM1N80CWRP
Производитель:
Taiwan Semiconductили
Ассортимент продукции:
Transistилиs (BJT)
TSM1N80CWRP

Информация о товаре

Terminal FилиmGULL WING
Avalanche Energy Rating (Eas)90 mJ
Package ShapeRECTANGULAR
StatusACTIVE
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Transistили Element MaterialSILICON
Drain Current-Max (ID)0.3000 A
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max21.6 ohm
Transistили TypeGENERAL PURPOSE POWER
Pulsed Drain Current-Max (IDM)1 A
Channel TypeN-CHANNEL
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
DS Breakdown Voltage-Min800 V
Transistили ApplicationSWITCHING
Surface MountYes
Mfr Package DescriptionROHS COMPLIANT PACKAGE-4
Operating ModeENHANCEMENT
Number of Terminals4
Terminal PositionDUAL
Number of Elements1
Package StyleSMALL OUTLINE


Позвоните для доступности
Цена для:  каждыйМинимум:  1

Целевая цена

Предложите приемлемую цену, и мы можем вас порадовать.Ваша целевая цена

Техническая поддержка

Техническая поддержка

Отзывы клиентов

Написать отзыв

Клиент Q & A Обмен

Задайте вопрос