Ваша корзина пуста

X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET

Часть №:
FPD750-000SQ
Производитель:
Ассортимент продукции:
Transistилиs (BJT)

Информация о товаре

Terminal FinishNOT SPECIFIED
Terminal FилиmNO LEAD
Package ShapeRECTANGULAR
StatusDISCONTINUED
Lead FreeYes
Package Body MaterialUNSPECIFIED
Transistили Element MaterialGALLIUM ARSENIDE
EU RoHS CompliantYes
ConfigurationSINGLE
Transistили TypeRF POWER
Channel TypeN-CHANNEL
FET TechnologyHIGH ELECTRON MOBILITY
DS Breakdown Voltage-Min10 V
Transistили ApplicationAMPLIFIER
Surface MountYes
Mfr Package DescriptionROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Operating ModeDEPLETION
Number of Terminals3
Highest Frequency BandX BAND
Terminal PositionUPPER
Number of Elements1
Package StyleUNCASED CHIP


Позвоните для доступности

Цена для:  каждыйМинимум:  1

Целевая цена

Предложите приемлемую цену, и мы можем вас порадовать.Ваша целевая цена

Техническая поддержка

Техническая поддержка

Отзывы клиентов

Написать отзыв

Клиент Q & A Обмен

Задайте вопрос