Ваша корзина пуста

X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET

Часть №:
CFY66-10
Производитель:
Ассортимент продукции:
Transistилиs (BJT)

Информация о товаре

Terminal FinishGOLD
Terminal FилиmFLAT
Power Dissipation Ambient-Max0.2000 W
Package ShapeROUND
StatusACTIVE
Package Body MaterialCERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Transistили Element MaterialGALLIUM ARSENIDE
Power Gain-Min (Gp)10.5 dB
Drain Current-Max (ID)0.0600 A
ConfigurationSINGLE
Transistили TypeRF SMALL SIGNAL
Channel TypeN-CHANNEL
FET TechnologyHIGH ELECTRON MOBILITY
DS Breakdown Voltage-Min3.5 V
Surface MountYes
Mfr Package DescriptionMICRO-X-4
Operating ModeDEPLETION
Number of Terminals4
Highest Frequency BandX BAND
Terminal PositionRADIAL
Number of Elements1
Package StyleDISK BUTTON


Позвоните для доступности

Цена для:  каждыйМинимум:  1

Целевая цена

Предложите приемлемую цену, и мы можем вас порадовать.Ваша целевая цена

Техническая поддержка

Техническая поддержка

Отзывы клиентов

Написать отзыв

Клиент Q & A Обмен

Задайте вопрос