Ваша корзина пуста

0.3 A, 800 V, 21.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-92

Часть №:
TSM1N80SCTB0
Производитель:
Ассортимент продукции:
Transistилиs (BJT)

Информация о товаре

StatusDISCONTINUED
Channel TypeN-CHANNEL
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Mfr Package DescriptionROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Pulsed Drain Current-Max (IDM)1 A
Terminal FилиmTHROUGH-HOLE
Operating ModeENHANCEMENT
Package StyleCYLINDRICAL
Avalanche Energy Rating (Eas)90 mJ
Transistили ApplicationSWITCHING
Drain Current-Max (ID)0.3000 A
Transistили Element MaterialSILICON
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Terminal PositionBOTTOM
Transistили TypeGENERAL PURPOSE POWER
Package ShapeROUND
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max21.6 ohm
Number of Terminals3
DS Breakdown Voltage-Min800 V
Number of Elements1


Позвоните для доступности

Цена для:  каждыйМинимум:  1

Целевая цена

Предложите приемлемую цену, и мы можем вас порадовать.Ваша целевая цена

Техническая поддержка

Техническая поддержка

Отзывы клиентов

Написать отзыв

Клиент Q & A Обмен

Задайте вопрос