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0.3 A, 800 V, 21.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-92

Número da peça:
TSM1N80SCTA3
Gama de Produtos:
Transistous (BJT)

infoumação do produto

StatusDISCONTINUED
Channel TypeN-CHANNEL
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Mfr Package DescriptionROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Pulsed Drain Current-Max (IDM)1 A
Terminal FoumTHROUGH-HOLE
Operating ModeENHANCEMENT
Package StyleCYLINDRICAL
Avalanche Energy Rating (Eas)90 mJ
Transistou ApplicationSWITCHING
Drain Current-Max (ID)0.3000 A
Transistou Element MaterialSILICON
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Terminal PositionBOTTOM
Transistou TypeGENERAL PURPOSE POWER
Package ShapeROUND
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max21.6 ohm
Number of Terminals3
DS Breakdown Voltage-Min800 V
Number of Elements1


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