X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET

実際の商品は画像と異なる場合があります

商品情報

Status	ACTIVE
Channel Type	N-CHANNEL
Package Body Material	UNSPECIFIED
Mfr Package Description	DIE-4
Terminal Fまたはm	NO LEAD
Operating Mode	DEPLETION
Package Style	UNCASED CHIP
Transistまたは Application	AMPLIFIER
Power Gain-Min (Gp)	8 dB
Highest Frequency Band	X BAND
FET Technology	HETERO-JUNCTION
Terminal Position	UPPER
Transistまたは Type	RF SMALL SIGNAL
Package Shape	RECTANGULAR
Transistまたは Element Material	GALLIUM ARSENIDE
Number of Terminals	4
DS Breakdown Voltage-Min	12 V
Surface Mount	Yes

あなたの許容できる価格を提供し、私たちはあなたを満足させるかもしれません。あなたの目標価格