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半導体-ディスクリート
Transistまたはs (BJT)
11 A, 500 V, 0.62 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
11 A, 500 V, 0.62 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
実際の商品は画像と異なる場合があります
品番:
AP11N50I
メーカー:
APEC
製品の範囲:
Transistまたはs (BJT)
データシート:
AP11N50I
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商品情報
Terminal Fまたはm
THROUGH-HOLE
Avalanche Energy Rating (Eas)
50 mJ
Package Shape
RECTANGULAR
Status
ACTIVE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Transistまたは Element Material
SILICON
Drain Current-Max (ID)
11 A
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max
0.6200 ohm
Transistまたは Type
GENERAL PURPOSE POWER
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
40 A
Channel Type
N-CHANNEL
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
DS Breakdown Voltage-Min
500 V
Transistまたは Application
SWITCHING
Case Connection
ISOLATED
Mfr Package Description
ROHS COMPLIANT, TO-220CFM, 3 PIN
Operating Mode
ENHANCEMENT
Number of Terminals
3
Terminal Position
SINGLE
Number of Elements
1
Package Style
FLANGE MOUNT
可用性の呼び出し
価格:
各
最小:
1
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