RF JFET Transistまたはs DC-12GHz 40W 32V GaN P3dB @ 3GHz 46.5dBm

実際の商品は画像と異なる場合があります

商品情報

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	32 V
Transistまたは Polarity	N-Channel
Package / Case	Die
Part # Aliases	1112260
Mounting Style	SMD/SMT
Product Categまたはy	RF JFET Transistまたはs
Maximum Drain Gate Voltage	100 V
Brand	TriQuint (Qまたはvo)
Gain	19.2 dB
Configuration	Single
Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Manufacturer	Qまたはvo
Transistまたは Type	HEMT
Operating Temperature Range	- 65 C to + 150 C
Id - Continuous Drain Current	2.5 A
Output Power	46.4 dBm
RoHS	Details
Packaging	Waffle
Frequency	15 GHz
Minimum Operating Temperature	- 65
Pd - Power Dissipation	41 W
Technology	GaN SiC

あなたの許容できる価格を提供し、私たちはあなたを満足させるかもしれません。あなたの目標価格