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X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET

Codice:
FPD750-000SQ
Produttoe:
Gamma di prodotti:
Transistos (BJT)

Infomazioni sul prodotto

Terminal FinishNOT SPECIFIED
Terminal FomNO LEAD
Package ShapeRECTANGULAR
StatusDISCONTINUED
Lead FreeYes
Package Body MaterialUNSPECIFIED
Transisto Element MaterialGALLIUM ARSENIDE
EU RoHS CompliantYes
ConfigurationSINGLE
Transisto TypeRF POWER
Channel TypeN-CHANNEL
FET TechnologyHIGH ELECTRON MOBILITY
DS Breakdown Voltage-Min10 V
Transisto ApplicationAMPLIFIER
Surface MountYes
Mfr Package DescriptionROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Operating ModeDEPLETION
Number of Terminals3
Highest Frequency BandX BAND
Terminal PositionUPPER
Number of Elements1
Package StyleUNCASED CHIP


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Prezzo per:  OgniMinimo:  1

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