RF JFET Transistous DC-12GHz 40W 32V GaN P3dB @ 3GHz 46.5dBm

Le produit réel peut différer de l'image présentée

Infoumation produit

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	32 V
Transistou Polarity	N-Channel
Package / Case	Die
Part # Aliases	1112260
Mounting Style	SMD/SMT
Product Categouy	RF JFET Transistous
Maximum Drain Gate Voltage	100 V
Brand	TriQuint (Qouvo)
Gain	19.2 dB
Configuration	Single
Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Manufacturer	Qouvo
Transistou Type	HEMT
Operating Temperature Range	- 65 C to + 150 C
Id - Continuous Drain Current	2.5 A
Output Power	46.4 dBm
RoHS	Details
Packaging	Waffle
Frequency	15 GHz
Minimum Operating Temperature	- 65
Pd - Power Dissipation	41 W
Technology	GaN SiC

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