X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET

Das tatsächliche Produkt kann vom gezeigten Bild abweichen

Produktinfodermation

Status	ACTIVE
Channel Type	N-CHANNEL
Package Body Material	UNSPECIFIED
Mfr Package Description	DIE-4
Terminal Foderm	NO LEAD
Operating Mode	DEPLETION
Package Style	UNCASED CHIP
Transistoder Application	AMPLIFIER
Power Gain-Min (Gp)	8 dB
Highest Frequency Band	X BAND
FET Technology	HETERO-JUNCTION
Terminal Position	UPPER
Transistoder Type	RF SMALL SIGNAL
Package Shape	RECTANGULAR
Transistoder Element Material	GALLIUM ARSENIDE
Number of Terminals	4
DS Breakdown Voltage-Min	12 V
Surface Mount	Yes

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