ةغراف قوستلا ةبرع

10 A, 500 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

:مقر ءزجلا
2SK2190-4000
:عناصلا
:جتنملا دودح
Transistوأs (BJT)

جتنملا تامولعم

StatusDISCONTINUED
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Channel TypeN-CHANNEL
Terminal FوأmTHROUGH-HOLE
Operating ModeENHANCEMENT
Number of Terminals3
Transistوأ Element MaterialSILICON
Drain Current-Max (ID)10 A
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Terminal PositionSINGLE
Transistوأ TypeGENERAL PURPOSE POWER
Package ShapeRECTANGULAR
ConfigurationSINGLE
Drain-source On Resistance-Max1 ohm
Package StyleFLANGE MOUNT
DS Breakdown Voltage-Min500 V
Number of Elements1


ةحاتإلا لجأ نم لصتا

:لجال رعسلا  لك:ىندألا دحلا  1

فدهتسملا رعسلا

.اًيضار كلعجن دقو ، لوبقملا رعسلا ضرعاكب صاخلا فدهتسملا رعسلا

ينف معد

ينف معد

ءالمعلا ءارآ

ةعجارم بتكأ

ءالمعلا باوجو لاؤس

لاؤس حرط